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IRF540STRLPBF

更新時間:2025-05-21 20:22:22

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IRF540STRLPBF 概述

IRF540STRLPBF是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。它采用D2PAK封裝，適合表面貼裝應用。該器件具有低導通電阻和高電流處理能力，典型導通電阻為0.044歐姆（在Vgs=10V時）。其最大漏極電流可達33A，在柵極電壓為10V時性能最佳。此MOSFET適用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等需要高效功率轉換的場景。在實際應用中，需注意其最大工作電壓為100V，確保電路設計不超過這一限制。為提高散熱效率，建議使用合適的散熱片。在PCB布局時，盡量縮短源極和漏極之間的走線長度以減小寄生電感的影響，從而提升開關速度并減少損耗。在驅動電路方面，提供足夠的柵極驅動電壓對于實現最低導通電阻至關重要。

IRF540STRLPBF 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
28A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
77 毫歐 @ 17A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 25V
功率 - 最大
3.7W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF540STRLPBF-NDIRF540STRLPBFTR

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