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IRF5210LPBF

更新時間:2025-05-16 04:52:45

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IRF5210LPBF外觀圖

IRF5210LPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET P-CH 100V 38A TO-262

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

IRF5210LPBF 概述

IRF5210LPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于中等功率應用場合。其最大漏極-源極電壓VDS為-100V，連續(xù)漏極電流ID在25°C時可達-19A。該MOSFET具有低導通電阻RDS(on)，有助于減少功耗并提高效率。典型應用場景包括電機驅(qū)動、開關(guān)電源以及各種需要高側(cè)開關(guān)或負載切換的電路。由于其較高的擊穿電壓和較大的電流承載能力，也適合用于工業(yè)控制設(shè)備中的電源管理和電機制動電路。在實際使用中應注意散熱設(shè)計以確保工作溫度不超過額定范圍，并且柵極驅(qū)動電路要能提供足夠的電壓來保證MOSFET充分導通。

IRF5210LPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
38A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 38A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
230nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2780pF @ 25V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設(shè)備封裝
TO-262
包裝
管件

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IRF5210LPBF
IRF50N06
IRF510
IRF510A
IRF510PBF
IRF510S
IRF510SPBF
IR2112

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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