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IRF510PBF

更新時間:2025-06-23 13:12:24

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IRF510PBF 概述

IRF510PBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于多種低頻開關(guān)應用。其最大漏極電流ID為5.6A，最大漏源電壓VDS為100V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，導通電阻RDS(on)典型值為0.55Ω。此款MOSFET廣泛應用于直流電機控制、開關(guān)電源、逆變器以及各種需要功率開關(guān)的場合。在電路設計中，通常用于低壓側(cè)開關(guān)，也可根據(jù)具體需求配置于H橋或半橋電路中實現(xiàn)功率控制。使用時應注意散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作，特別是在高負載條件下要確保良好的熱傳導路徑。同時，合理選擇柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關(guān)速度和EMI性能。

IRF510PBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫歐 @ 3.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
43W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF510PBF

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