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IRF450

更新時(shí)間:2025-07-13 19:53:53

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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自己現(xiàn)貨，深圳可交易

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一站式BOM配單只做原裝

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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上海磐岳電子有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)

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深圳市科芯源微電子有限公司
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IRF450外觀圖

IRF450

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3

封裝:TO-204AA，TO-3

IRF450 概述

IRF450是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件適用于高壓應(yīng)用，最大漏源電壓（Vds）可達(dá)500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時(shí)為17A。其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器以及各種工業(yè)控制設(shè)備中的高壓開關(guān)電路。在實(shí)際使用中，建議在柵極和源極之間添加一個適當(dāng)?shù)碾娮枰韵拗茤艠O充電電流，并確保良好的散熱設(shè)計(jì)，因?yàn)镸OSFET在高負(fù)載條件下容易發(fā)熱。對于需要快速開關(guān)的應(yīng)用，注意布局布線以最小化寄生電感影響。如果用于高頻電路，需考慮其開關(guān)速度與功耗之間的平衡。

IRF450 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
100
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
500 毫歐 @ 12A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2700pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-204AA，TO-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-204AA（TO-3）
包裝
管件
其它名稱
*IRF450Q2009037

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