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IRF40B207

更新時間:2025-06-10 06:27:03

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IRF40B207 概述

IRF40B207是由國際整流器公司（現為英飛凌的一部分）生產的MOSFET型號。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、電機驅動、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)及各類消費電子設備中的電源管理模塊。在電路設計中，建議確保柵極驅動電壓足夠以實現最低的導通電阻，同時注意散熱設計，避免過熱影響性能和壽命。對于高頻率應用，需優(yōu)化PCB布局減少寄生電感和電容，提高整體效率。如果需要更詳細的技術參數，請參考官方數據手冊。

IRF40B207 規(guī)格參數

現有數量
2,934現貨
系列
HEXFET?, StrongIRFET?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
95A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.5 毫歐 @ 57A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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