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IRF3709S

更新時間:2025-06-10 19:29:54

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詢價

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中研正芯（深圳）電子科技有限
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中研正芯，只做原裝

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IRF3709S外觀圖

IRF3709S

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF3709S 概述

IRF3709S是由International Rectifier（已被Infineon Technologies收購）生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用SO-8封裝，具有低導通電阻和高效率特性。它專為高頻開關應用而設計，在DC-DC轉換器、負載點調節(jié)器以及同步整流電路中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓額定值為30V，適合低壓電源管理應用。在實際應用中，需確保柵極驅動電壓足夠以完全開啟MOSFET，同時注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于PCB布局，應盡量減小源極和柵極引線長度，減少寄生電感影響，提高整體系統(tǒng)穩(wěn)定性。

IRF3709S 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2672pF @ 16V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF3709S

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IRF3709S
IRF3709SPBF
IRF3000
IRF3000TRPBF
IRF3007
IRF3007PBF
IRF3007S
IT8712F-A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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