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IRF3706S

更新時間:2025-05-22 16:07:39

供應(yīng)商
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IRF3706S外觀圖

IRF3706S

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF3706S 概述

IRF3706S是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。基礎(chǔ)描述方面，IRF3706S的最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達41A，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，其典型導(dǎo)通電阻僅為6.5mΩ。這些特性使得它在高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動電路中表現(xiàn)出色。應(yīng)用場景包括但不限于同步整流、負載點調(diào)節(jié)器、POL模塊等需要高效功率管理的場合。由于其封裝形式適合表面貼裝技術(shù)，因此也廣泛應(yīng)用于緊湊型設(shè)計中。使用時需注意確保柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定，并且要充分考慮散熱設(shè)計以保證器件可靠工作。

IRF3706S 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
77A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2410pF @ 10V
功率 - 最大
88W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF3706S

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IRF3706S
IRF3706SPBF
IRF3000
IRF3000TRPBF
IRF3007
IRF3007PBF
IRF3007S
IRFP460

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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