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IRF3706

更新時間:2025-07-18 00:27:45

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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IRF3706外觀圖

IRF3706

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRF3706 概述

IRF3706是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌科技的一部分）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏極-源極電壓（Vds）為20V，適用于低壓應(yīng)用場合。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池供電設(shè)備、負(fù)載開關(guān)以及各種消費類電子產(chǎn)品中的電源管理。在實際應(yīng)用中，IRF3706常用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的電路中。例如，在便攜式設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中，它可以用作同步整流管或主開關(guān)管，以提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。設(shè)計時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，確保MOSFET能完全導(dǎo)通，通常建議使用10V以上的柵極電壓來實現(xiàn)最低的Rds(on)值。此外，由于其較高的開關(guān)速度，PCB布局時應(yīng)盡量減小寄生電感，避免產(chǎn)生過沖和振鈴現(xiàn)象。

IRF3706 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
77A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.5 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2410pF @ 10V
功率 - 最大
88W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF3706

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IRF3706PBF
IRF3706S
IRF3706SPBF
IRF3000
IRF3000TRPBF
IR2112

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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