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IRF3415S

更新時間:2025-05-18 02:34:06

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
IRF3415S
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D2PAK/2020+
原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

深圳市億科泰電子科技有限公司
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D2Pak/16+RoHS
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市格爾微電子有限公司
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-/TO263
原廠直銷，價格優(yōu)勢，一站式配套服務,可開增值稅發(fā)

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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

北京睿宸齊芯科技有限公司
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DPAK/TO263/2024+/25+
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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杭州丹駿電子科技有限公司
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IRF3415S外觀圖

IRF3415S

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF3415S 概述

IRF3415S是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用堅固的TO-263 (D2PAK) 表面貼裝封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，典型Rds(on)值在10V柵極驅(qū)動下僅為8.0mΩ。其最大漏源電壓Vds可達55V，連續(xù)漏極電流Id在25°C時為74A。適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、電池供電設備等需要高性能功率管理的應用場景。在實際應用中，建議使用適當?shù)纳嵩O計以確保最佳性能，并且需注意柵極驅(qū)動電路的設計以保證可靠開啟和關(guān)閉MOSFET。例如，在電機控制電路中，可將IRF3415S與合適的PWM控制器配合使用，實現(xiàn)對電機速度的精確調(diào)節(jié)。在布線時，盡量減小源極和漏極之間的走線電感，以減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。

IRF3415S 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
43A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫歐 @ 22A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF3415S

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IRF3415S
IRF3415SPBF
IRF3415STR
IRF3415STRL
IRF3415STRLPBF
IRF3415STRR
IRF3000
IR2103

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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