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IRF1310NSPBF

更新時間:2025-05-21 09:50:15

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IRF1310NSPBF外觀圖

IRF1310NSPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF1310NSPBF 概述

IRF1310NSPBF是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌科技的一部分）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，適用于高功率應用。其設(shè)計旨在提供低導通電阻和快速開關(guān)特性，使其在效率至關(guān)重要的場合表現(xiàn)優(yōu)異。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)以及電池管理電路。由于其出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能，它也廣泛應用于工業(yè)自動化設(shè)備中。此外，這款MOSFET還常用于需要高效能開關(guān)元件的電源管理系統(tǒng)。在實際應用中，確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻至關(guān)重要。同時，在PCB布局時應盡量減小源極和漏極間的寄生電感，以避免開關(guān)過程中產(chǎn)生電壓尖峰。對于高頻率應用，需特別注意散熱設(shè)計，保證器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

IRF1310NSPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
42A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
36 毫歐 @ 22A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF1310NSPBF

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IRF1310NSPBF
IRF100B202
IRF1010
IRF1010E
IRF1010EL
IRF1010EPBF
IRF1010ES
IRF540NPBF

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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