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IPS09N03LB G

更新時間:2025-05-17 00:45:53

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IPS09N03LB G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
50 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
14.4 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-251
封裝
Tube
下降時間
3 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
58 W
上升時間
5 ns
工廠包裝數(shù)量
1500
典型關閉延遲時間
20 ns

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