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IPS031N03L G

更新時間:2025-06-01 02:41:14

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IPS031N03L G 概述

IPS031N03L G是由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的硅技術(shù)，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于需要高效能開關(guān)的應用場景。其典型應用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、電動工具和不間斷電源系統(tǒng)等。在實際應用中，IPS031N03L G常用于同步整流電路中，以提高轉(zhuǎn)換效率并減少能量損耗。設(shè)計時應注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，通常建議使用10V以上的驅(qū)動電壓以確保最佳性能。此外，在PCB布局時應盡量減小源極與柵極之間的寄生電感，避免高頻振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于高頻率應用場合，選擇合適的門極電阻值也是優(yōu)化開關(guān)性能的關(guān)鍵因素之一。總之，正確設(shè)計外圍電路可以充分發(fā)揮這款MOSFET的優(yōu)勢。請注意根據(jù)具體應用環(huán)境調(diào)整相關(guān)參數(shù)設(shè)置，確保設(shè)備穩(wěn)定運行。如果需要更詳細的技術(shù)規(guī)格，請查閱官方數(shù)據(jù)手冊。

IPS031N03L G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
90 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
4.4 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-251
封裝
Tube
下降時間
5 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
100 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
94 W
上升時間
6 ns
工廠包裝數(shù)量
1500
典型關(guān)閉延遲時間
34 ns
零件號別名
IPS031N03LGXK

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