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IPP100N08S2-07

更新時間:2025-05-18 10:06:39

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市捷富芯科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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500個/管一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現貨，長期排單

深圳市芯齊壹科技有限公司
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官網可查icscjh.com

深圳市萬佳電子貿易有限公司
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540030
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可查官網https//www.icscjh.com/

無錫固電半導體股份有限公司
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華芯達電子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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北京海思佳業(yè)科技有限公司
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IPP100N08S2-07 概述

IPP100N08S2-07是由英飛凌（Infineon）生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的硅技術制造，具有低導通電阻和高效率特性，適用于需要高效功率轉換的應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為80V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時可達100A，適合于中等功率的應用環(huán)境。典型應用場景包括電機驅動、電源管理以及電池供電設備中的DC-DC轉換器等。在電機控制中，它能夠提供快速的開關速度和較低的開關損耗，有助于提升系統(tǒng)整體性能。此外，在電源管理系統(tǒng)里，此MOSFET可有效降低能量損失，提高能效比。使用時應注意合理設計散熱方案，避免過熱損壞。建議結合具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關性能。對于高頻應用，需特別關注寄生電容的影響并進行相應補償。

IPP100N08S2-07 規(guī)格參數

數據列表
IPx100N08S2-07
標準包裝
500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.1 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4700pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000219005

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