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IPP034N03L G

更新時間:2025-07-27 13:35:39

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一站式BOM配單只做原裝

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IPP034N03L G 概述

IPP034N03L G是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的OptiMOS技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，優(yōu)化了開關性能。其最大漏源電壓為30V，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載切換和電源管理應用。在筆記本電腦、通信設備及消費類電子產(chǎn)品中表現(xiàn)優(yōu)異。使用時需注意驅(qū)動電壓要足夠高以確保完全開啟，推薦用于需要快速開關和低損耗的場合。設計電路時應考慮適當?shù)纳岽胧跃S持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。

IPP034N03L G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IP(B,P)034N03L G
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5300pF @ 15V
功率 - 最大
94W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
IPP034N03LGINIPP034N03LGXKSP000237660SP000680772

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