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IPI200N25N3 G

更新時間:2025-06-16 20:08:59

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500個/管一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單

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IPI200N25N3 G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPx200N25N3 G
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
64A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 64A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
86nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7100pF @ 100V
功率 - 最大
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安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
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