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IPF050N03LG

更新時間:2025-08-01 10:39:43

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IPF050N03LG 概述

IPF050N03LG是一款由英飛凌科技生產(chǎn)的功率MOSFET。該器件采用了先進的TrenchFET技術，具有極低的導通電阻（典型值為5.0mΩ），適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓（VDS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時可達75A。此款MOSFET專為需要快速開關和低損耗的應用設計，如DC-DC轉換器、負載點（POL）調節(jié)器以及同步整流等場合。在實際應用中，建議在PCB布局時優(yōu)化熱管理，確保良好的散熱性能以維持器件穩(wěn)定工作。由于其柵極電荷較低，能夠實現(xiàn)高速開關操作，在高頻電路中表現(xiàn)尤為出色。設計時應注意選擇合適的柵極驅動電阻來匹配系統(tǒng)頻率需求，并防止過沖現(xiàn)象發(fā)生。同時，在高電流應用下要保證足夠的銅箔面積用于散熱。

IPF050N03LG 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
50 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
7.3 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
3.8 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
68 W
上升時間
13 ns
典型關閉延遲時間
25 ns

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