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IPDH9N03LAG

更新時間:2025-05-15 18:49:44

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IPDH9N03LAG 概述

IPDH9N03LAG是由Infineon Technologies生產(chǎn)的MOSFET器件。該器件采用PG-TO252-3-11 EP封裝，這是一種表面貼裝封裝，適用于需要高效散熱和緊湊設計的應用場景。它具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為9.6mΩ，這有助于減少導通損耗并提高整體效率。此MOSFET適用于各種電源管理應用，如直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等。在實際應用中，確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET。對于電機驅(qū)動應用，要注意防止過壓和過流情況對MOSFET造成損害，可考慮添加適當?shù)谋Ｗo電路，如鉗位二極管來抑制反電動勢。在設計電路板布局時，盡量縮短源極到驅(qū)動器的回路長度以降低寄生電感影響。

IPDH9N03LAG 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
25 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
30 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
16.6 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
2.8 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
52 W
上升時間
4 ns
典型關閉延遲時間
16 ns

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IPDH9N03LAG
IPDH4N03LAG
IPDH5N03LAG
IPDH6N03LAG
IRF3205

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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