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IPDH6N03LAG

更新時間:2025-06-12 21:46:39

供應(yīng)商
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數(shù)量
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封裝/批號
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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WILLSEM
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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IPDH6N03LAG 概述

IPDH6N03LAG是英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理電路、負載開關(guān)以及各種電源管理系統(tǒng)。在電池供電設(shè)備中，它能夠顯著降低功耗，提高系統(tǒng)效率。使用時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)性能，并確保散熱設(shè)計滿足要求以避免過熱損壞。對于需要緊湊布局和高效能的便攜式設(shè)備設(shè)計來說，這款MOSFET是一個理想選擇。

IPDH6N03LAG 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPD(F,S,U)H6N03LA G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 30µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2390pF @ 15V
功率 - 最大
71W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPDH6N03LAGINDTR-NDIPDH6N03LAGINTR

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