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IPD80N06S3-09

更新時間:2025-06-16 22:24:18

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市晨匯芯電子科技有限公司
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深圳市創(chuàng)勝達電子有限公司
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

深圳誠思涵科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市中飛凌科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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10000
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PGTO252311/-
原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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深圳市晶美隆科技有限公司
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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官網(wǎng)可查icscjh.com

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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市捷富芯科技有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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IPD80N06S3-09 概述

IPD80N06S3-09是由英飛凌科技生產(chǎn)的MOSFET器件。這款N溝道功率MOSFET專為高效能應用設計，具有低導通電阻和高開關速度的特點。它在工業(yè)控制、電源管理和電池供電設備等場景中表現(xiàn)出色。其優(yōu)化的柵極電荷特性使得該器件非常適合高頻開關應用，有助于減少功耗并提高系統(tǒng)整體效率。在電動工具、不間斷電源（UPS）以及直流電機驅動器等產(chǎn)品中得到廣泛應用。使用時需注意其最大漏源電壓為60V，確保電路設計在此范圍內(nèi)工作，以避免損壞器件。同時，在PCB布局時應考慮散熱設計，保證良好的熱管理以維持長期穩(wěn)定運行。

IPD80N06S3-09 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
55 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
80 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
8.4 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
37 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
107 W
上升時間
42 ns
典型關閉延遲時間
26 ns
零件號別名
IPD80N06S309XT

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IPD80R1K0CE
IPD85P04P4L-06
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