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IPD50N04S4L-08

更新時間:2025-05-17 06:15:53

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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深圳誠思涵科技有限公司
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深圳市坤融電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務

深圳市吉翰電子有限公司
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公司現(xiàn)貨庫存，假一賠十

深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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深圳市佳蓓電子有限公司
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深圳市馳源科技有限公司
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深圳市泰佳興電子有限公司
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深圳市金和信科技有限公司
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不上現(xiàn)貨排名，有價格優(yōu)勢，照樣拿單，上具體批次，只...

芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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只做原裝，支持月結(jié)，可拍照片，優(yōu)勢現(xiàn)貨

深圳市星源微科技有限公司
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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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IPD50N04S4L-08 概述

IPD50N04S4L-08是由英飛凌（Infineon）公司生產(chǎn)的功率MOSFET。這款芯片專為高效率和高性能的電源管理應用設(shè)計，具有較低的導通電阻，有助于減少在開關(guān)模式電源和其他電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的能量損耗。該器件適用于多種應用場景，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動工具、電機控制以及各種需要高效電力傳輸和管理的消費電子產(chǎn)品中。它能夠在高達40V的工作電壓下穩(wěn)定運行，并且能夠處理較大的電流，這使得它非常適合用于那些對可靠性有較高要求的應用環(huán)境。使用建議方面，在電路設(shè)計時需注意適當?shù)纳岽胧┮源_保器件能在安全溫度范圍內(nèi)工作。同時，合理選擇柵極驅(qū)動電路參數(shù)可以優(yōu)化開關(guān)性能并降低EMI干擾。對于新手來說，參考官方提供的典型應用電路示例是很有幫助的。如果要深入了解其電氣特性和極限值，則應查閱最新的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊。

IPD50N04S4L-08 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPD50N04S4L-08
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.3 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 17µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2340pF @ 25V
功率 - 最大
46W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設(shè)備封裝
PG-TO252-3-313
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD50N04S4L08ATMA1SP000711456

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IPD50N04S4L-08相關(guān)型號

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IPD50N04S4L-08
IPD50N04S3-08
IPD50N04S4-08
IPD50N04S4-10
IPD50N06S2-14
IPD50N06S2L-13
IPD50N06S4-09
IRF740

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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