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IPD30N10S3L-34

更新時間:2025-07-05 06:18:59

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深圳市中立信電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市創(chuàng)芯聯盈電子有限公司
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IPD30N10S3L-34 概述

IPD30N10S3L-34是英飛凌科技生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高效率的特點。其最大漏源電壓為100V，適合在中高壓應用環(huán)境中使用。典型應用場景包括電機驅動、開關電源、DC-DC轉換器以及電池管理電路等需要高效能開關元件的場合。由于其低柵極電荷特性，能夠實現快速開關操作，有助于提高系統整體效率并減少功率損耗。在實際應用中建議注意PCB布局以確保良好的熱性能，特別是對于持續(xù)大電流工作的場合。推薦使用多層PCB設計，并合理布置散熱過孔以增強散熱效果。此外，驅動電路的設計應保證柵極電壓穩(wěn)定可靠，防止因電壓不足導致的導通電阻增大問題。

IPD30N10S3L-34 規(guī)格參數

數據列表
IPD30N10S3L-34
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 29µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1976pF @ 25V
功率 - 最大
57W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD30N10S3L-34-NDIPD30N10S3L-34TRSP000261248

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IPD30N10S3L-34
IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-20
IPD30N03S4L-09
IPD30N03S4L-14
IPD30N06S2-15
IPD30N06S2L-13
IR2184S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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