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IPD200N15N3G

更新時間:2025-06-19 09:42:27

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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IPD200N15N3G 概述

IPD200N15N3G是英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為15mΩ，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓額定值為150V，連續(xù)漏極電流可達80A（在25°C條件下），這使得它適合于工業(yè)和消費類電源應(yīng)用，如開關(guān)模式電源、直流電機驅(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)中的電源開關(guān)。在實際應(yīng)用中，由于其低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)性能，能夠有效提高系統(tǒng)效率。設(shè)計電路時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保足夠的散熱措施來維持長期穩(wěn)定運行。例如，在一個典型的降壓轉(zhuǎn)換器電路里，可將此MOSFET作為低壓側(cè)開關(guān)使用，配合合適的控制IC實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換功能。

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IPD200N15N3G
IPD200N15N3 G
IPD20N03
IPD20N03L
IPD20N03L/PSI
IPD20N60S5
IPD2133
IRLML6401TRPBF

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