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IPD180N10N3 G

更新時間:2025-05-19 05:36:31

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IPD180N10N3 G 概述

IPD180N10N3G是英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為100V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達56A，適用于高效能的電源管理應用。典型應用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、適配器、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制設備中的開關(guān)電路。由于其出色的熱性能和高可靠性，也適合用于對效率和散熱要求較高的緊湊型電源設計中。在實際應用時，需注意根據(jù)具體工作條件選擇適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻值以優(yōu)化開關(guān)速度并減少EMI干擾。同時要確保散熱設計合理，以維持器件長期穩(wěn)定運行。

IPD180N10N3 G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPD180N10N3 G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
43A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫歐 @ 33A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 33µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1800pF @ 50V
功率 - 最大
71W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD180N10N3 G-NDSP000482438

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廣東微爾科技有限公司

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IPD105N04LG
IPD10N03
IPD10N03LA
IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
IR2112

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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