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IPD12N03LB G

更新時間:2025-05-24 07:17:04

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制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
30 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
17.7 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
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安裝風格
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封裝 / 箱體
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封裝
Reel
下降時間
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正向跨導 gFS（最大值/最小值）
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最小工作溫度
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功率耗散
52 W
上升時間
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