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IPD12CN10NGATMA1

更新時間:2025-06-06 01:50:24

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安富微（深圳）商貿有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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IPD12CN10NGATMA1 概述

IPD12CN10NGATMA1是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。該器件采用了CoolMOS技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其封裝形式為TO-220 FullPAK，適用于需要高效散熱和高可靠性的應用場合。典型應用場景包括開關電源、適配器、照明系統(tǒng)以及工業(yè)驅動等。在開關電源中，這款MOSFET可以有效降低開關損耗，提高轉換效率。使用時需注意驅動電路的設計，確保柵極電壓足夠以完全開啟MOSFET。對于散熱設計，由于其FullPAK封裝有助于熱量傳導，建議合理布局散熱器并考慮PCB布線的熱阻。在實際應用中，若用于高頻開關電路，應仔細評估寄生參數對電路性能的影響，并采取相應措施如優(yōu)化PCB走線以減少干擾。

IPD12CN10NGATMA1 規(guī)格參數

現有數量
4,725現貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
67A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
12.4 毫歐 @ 67A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 83μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4320 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

IPD12CN10NGATMA1推薦型號

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IPD100N04S4-02
IPD100N06S4-03
IPD105N04LG
IPD10N03
IPD10N03LA
IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
IRF730

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