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IPD110N12N3GATMA1

更新時間:2025-06-09 06:01:08

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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PGTO/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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Infineon Technologies
PGTO2523/22+
代理直銷進口原裝

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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TSSOP/20+
回收此型號，工廠呆料處理

深圳市星宇佳科技有限公司
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PGTO2523/20+
20+

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IPD110N12N3GATMA1 概述

IPD110N12N3GATMA1是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝，適用于高效率和高性能應用。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)整體效率。此MOSFET廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等領域。在電機驅(qū)動應用中，它能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關切換，減少發(fā)熱并提升系統(tǒng)的動態(tài)響應性能。在開關電源設計中，它的高效能特點可以顯著降低功耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。使用時需注意確保柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定，并且在實際電路設計中要充分考慮散熱管理，以保證器件長期可靠運行。根據(jù)具體應用場景的不同，可選擇合適的PCB布局和散熱方案，以優(yōu)化電氣性能和熱性能。對于高頻應用場合，還需特別關注寄生電感和電容的影響，避免不必要的干擾和信號失真。

IPD110N12N3GATMA1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
9,375現(xiàn)貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
120 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
75A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 83μA（標準）
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4310 pF @ 60 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

IPD110N12N3GATMA1推薦型號

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IPD100N04S4-02
IPD100N06S4-03
IPD105N04LG
IPD10N03
IPD10N03LA
IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
IRF540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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