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IPD10N03LA

更新時間:2025-05-16 00:30:46

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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BOM配單
只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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深圳市楚勝電子有限公司
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09+/13518
DPAK (TO-252)

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INFINEON/英飛凌
TO252/2024+
公司現(xiàn)貨庫存，假一賠十

無錫固電半導體股份有限公司
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5000
ISC/無錫固電
DPAK/TO252/25+
國產(chǎn)品牌isc，替代進口

深圳誠思涵科技有限公司
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9000
Infineon Technologies
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公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單

深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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12800
N進口原裝熱賣中
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特價特價全新原裝現(xiàn)貨

深圳市威爾健半導體有限公司
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INFINEON/英飛凌
TO252/2025+
原裝現(xiàn)貨，實單支持

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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90000
INFINEO
TO252/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

上海磐岳電子有限公司
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5800
INFINEON
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進口原裝現(xiàn)貨，杜絕假貨。

深圳市博洋芯微電子有限公司
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7000
INFINEON
TO252/26+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市德江源電子有限公司
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8300
VBSEMI/臺灣微碧
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只賣原裝正品

深圳市斌騰達科技有限公司
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2500
Infineon Technologies
PGTO2523/19+/20+
100%進口原裝長期供應絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)

深圳市晶美隆科技有限公司
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98000
INFINEON/英飛凌
SOT252/24+
假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

深圳市佳達源電子有限公司
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51782
INFINEON/英飛凌
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-

深圳市創(chuàng)勝達電子有限公司
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6000
INFINEON/英飛凌
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市弘為電子有限公司
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1700
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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9000
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深圳市科翼源電子有限公司
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12104
INFINEO
TO252/16+
原裝現(xiàn)貨

深圳市得捷芯城科技有限公司
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54259
INFINEON/英飛凌
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳市硅諾電子科技有限公司
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89000
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

深圳市華銳源電子科技有限公司
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1798
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只做原裝報價當天為準

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JSMSEMI/杰盛微
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市華美銳電子有限公司
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52701
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TO252/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市金城微零件有限公司
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5999
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市特萊科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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16800
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原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可免費供樣，支持BOM配單

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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海芯未來半導體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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16500
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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68900
VB
TO252/-
一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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IPD10N03LA 概述

IPD10N03LA是英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用SOT-223封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.075歐姆。其漏源擊穿電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達10A。此MOSFET適用于多種應用場景，如電源管理中的負載開關、DC - DC轉換器以及電機驅動等。在電池供電設備中，由于其低導通電阻可減少導通損耗，有助于提高整體能效。在電路設計中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET充分導通，并且要合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能，避免因過熱而影響器件性能和壽命。

IPD10N03LA 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
10.4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
11 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1358 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
52W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3-11
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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IPD10N03LA
IPD100N04S4-02
IPD100N06S4-03
IPD105N04LG
IPD10N03
IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
IRF9540N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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