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IPD075N03LG

更新時間:2025-06-12 04:02:59

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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公司現(xiàn)貨庫存，假一賠十

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深圳市佳達源電子有限公司
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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市科翼源電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

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高品質優(yōu)選好芯

深圳市得捷芯城科技有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳市中元偉業(yè)電子商行
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市華美銳電子有限公司
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540030
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SO8/22+
可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

華芯達電子有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎查詢

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報價

深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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IPD075N03LG 概述

IPD075N03LG是由英飛凌科技公司生產的N溝道MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為7.5mΩ。其最大漏源電壓為30V，適用于高效功率轉換應用。典型應用場景包括電源管理、負載切換和電機驅動等。在電池供電設備中，可以有效降低能量損耗，延長電池續(xù)航時間。由于其出色的熱性能和緊湊的封裝設計，也適合空間受限的應用場合。使用時應注意正確選擇柵極驅動電壓，以確保完全開啟MOSFET。在PCB布局上，應盡量減小源極和柵極走線電感，避免高頻振蕩。對于大電流應用，建議增加適當?shù)纳岽胧?

IPD075N03LG 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IP(D,F,S,U)075N03L G
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單路
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)
1900pF @ 15V
功率 - 最大
47W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
剪切帶 (CT)
其它名稱
IPD075N03LGINCT

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IPD031N03L G
IPD031N03LG
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IPD031N06L3G
IRLML6402

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