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IPD050N03LG

更新時間:2025-07-13 02:18:23

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IPD050N03LG 概述

IPD050N03LG是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的硅技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為4.7mΩ。其最大漏源電壓（VDS）為30V，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。它常被用于電源管理、負載開關(guān)以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等電路中。由于其出色的熱性能和電氣性能，特別適合在緊湊型設(shè)計中使用，如智能手機和平板電腦的充電電路。在應(yīng)用時應(yīng)注意其最大電流限制，并確保適當?shù)纳岽胧┮跃S持長期可靠性。例如，在設(shè)計負載開關(guān)電路時，可與微控制器配合使用來實現(xiàn)對負載的有效控制。

IPD050N03LG 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IP(D,F,S,U)050N03L G
標準包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單路
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)
3200pF @ 15V
功率 - 最大
68W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO252-3
包裝
剪切帶 (CT)
其它名稱
IPD050N03LGINCT

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IPD050N03LG
IPD025N06N
IPD02N60S5
IPD031N03L G
IPD031N03LG
IPD031N06L3
IPD031N06L3G
IRF540NS

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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