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IPD040N03L G

更新時間:2025-05-28 20:10:45

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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一手工廠庫存，貨穩(wěn)/價低/快速

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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115000
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2500個/圓盤一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期

深圳市芯齊壹科技有限公司
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Infineon/英飛凌
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官網可查icscjh.com

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原裝現(xiàn)貨

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

深圳市南科功率半導體有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳市奧詩達電子有限公司
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IPD040N03L G 概述

IPD040N03L G是由英飛凌公司生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷。它專為高效功率轉換應用而設計，在電源管理、DC-DC轉換器、負載開關等場合表現(xiàn)優(yōu)異。這款MOSFET適用于需要高效率和緊湊布局的應用場景，例如計算機電源、服務器電源、通信設備電源以及工業(yè)自動化系統(tǒng)中的電源模塊。其出色的熱性能使得它能夠在較小的封裝尺寸下提供較高的電流承載能力。在實際應用中，推薦使用適當?shù)臇艠O驅動電路以確?？焖匍_啟和關閉，減少開關損耗。同時，需要注意合理散熱設計，保證器件工作溫度在安全范圍內。對于高頻應用，需考慮PCB布線對寄生參數(shù)的影響，盡量減小回路面積，優(yōu)化EMI性能。

IPD040N03L G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據列表
IPD,IPS040N03L G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3900pF @ 15V
功率 - 最大
79W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD040N03LGIPD040N03LG-NDIPD040N03LGINTRIPD040N03LGXTSP000254715SP000680628

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IPD02N60S5
IPD031N03L G
IPD031N03LG
IPD031N06L3
IPD031N06L3G
IRF9530N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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