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IPD031N03L G

更新時間:2025-05-25 02:44:42

供應商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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詢價

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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原裝現(xiàn)貨

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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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原裝進口可開票

深圳市華美銳電子有限公司
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INFINEON/英飛凌
DPAK(TO252)/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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FAIRCHILD/仙童
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

上海熠富電子科技有限公司
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21000
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應

深圳市南科功率半導體有限公司
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原裝現(xiàn)貨,提供優(yōu)質(zhì)配單服務

深圳市奧詩達電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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回收此型號，工廠呆料處理

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公司現(xiàn)貨原裝

艾潤（香港）電子有限公司
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回收此型號IPD031N03L G

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全新原裝現(xiàn)貨庫存特價熱賣

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原裝現(xiàn)貨INFINEON優(yōu)勢，可出售樣品，研發(fā)選型BOM配

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百分百原裝，有掛有貨，假一賠十

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原裝現(xiàn)貨報價當天為準

深圳市芯凌美電子有限公司
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深圳市賽美科科技有限公司
IPD031N03L G
35500
Infineon
TO252/2025+
一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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IPD031N03L G 概述

IPD031N03L G是英飛凌科技生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的OptiMOS技術(shù)，具有極低的導通電阻和柵極電荷，這使得它在高效功率轉(zhuǎn)換應用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為30V，適用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點電源以及電池供電設備等場景。由于其出色的效率表現(xiàn)，在手持設備和便攜式電子產(chǎn)品中也有廣泛應用。在設計電路時應注意其散熱要求，并確保驅(qū)動電路能提供足夠的柵極電壓以實現(xiàn)最佳性能。對于高頻開關應用，應仔細選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關速度和EMI性能。

IPD031N03L G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPD031N03L G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.1 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5300pF @ 15V
功率 - 最大
94W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD021N03LGIPD021N03LGINTRIPD021N03LGINTR-NDIPD031N03LGXTSP000236957SP000680554

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IPD031N03L G
IPD025N06N
IPD02N60S5
IPD031N03LG
IPD031N06L3
IPD031N06L3G
IPD034N06N3 G
IRF540NS

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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