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IPB80N06S2-07

更新時間:2025-07-03 21:15:31

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IPB80N06S2-07 概述

IPB80N06S2-07是由英飛凌科技生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高電流能力的特點，適用于高效電源管理應用。其典型應用場景包括同步整流、DC-DC轉換器以及電池管理系統(tǒng)等。在同步整流電路中，IPB80N06S2-07能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其較低的RDS(on)，在大電流條件下仍能保持較低的熱損耗。設計時應注意選擇合適的柵極驅動電阻以確?？焖匍_關同時避免振蕩。此外，在PCB布局上需盡量減小源極引線電感，這有助于減少開關過程中的電壓尖峰。對于DC-DC轉換器應用，此MOSFET可作為低側開關使用，提供高效的能量傳輸。務必確保散熱設計合理，例如增加銅箔面積或添加散熱片，以維持長期穩(wěn)定工作。在實際電路設計中，還需考慮適當的退耦電容配置，以濾除高頻噪聲并保證電源穩(wěn)定性。

IPB80N06S2-07 規(guī)格參數

數據列表
IPx80N06S2-07
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.3 毫歐 @ 68A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 180µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3400pF @ 25V
功率 - 最大
250W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
PG-TO263-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000218818

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IR2103

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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