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IPB65R190CFD

更新時間:2025-05-24 21:44:00

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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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惠州市利灣智能科技有限責任公
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IPB65R190CFD 規(guī)格參數

數據列表
IPx65R190CFD
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 7.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 730µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1850pF @ 100V
功率 - 最大
151W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
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包裝
帶卷 (TR)
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