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IPB60R600CP

更新時間:2025-05-18 06:22:13

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IPB60R600CP 概述

IPB60R600CP是英飛凌科技公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用CoolMOS技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓為600V，適合在高壓電路中使用。典型應用場景包括服務器電源、太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及工業(yè)驅動設備。該MOSFET的封裝形式為TO-220FP，便于散熱設計并簡化安裝流程。由于其卓越的熱性能和電氣性能，在需要高效率和可靠性的場合表現優(yōu)異。在實際應用中，建議關注柵極驅動電路的設計以確保MOSFET能夠快速且平穩(wěn)地開關，避免不必要的損耗和發(fā)熱。此外，在布局PCB時應盡量減小走線電感，以減少開關過程中的電壓尖峰。

IPB60R600CP 規(guī)格參數

數據列表
IPB60R600CP
產品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫歐 @ 3.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 220µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 100V
功率 - 最大
60W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
PG-TO263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPB60R600CP-NDIPB60R600CPTRSP000405892

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IRFP460

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