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IPB26CNE8N G

更新時間:2025-05-23 16:36:18

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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PGTO263/22+
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深圳市盈熙微科技有限公司
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IPB26CNE8N G 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
85 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
35 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
26 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時間
3 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
38 S / 19 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
71 W
上升時間
4 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
典型關(guān)閉延遲時間
13 ns

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