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IPB25N06S3-25

更新時間:2025-05-16 06:54:17

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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上海熠富電子科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市福啟達科技有限公司
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深圳市楚勝電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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Infineon Technologies
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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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IPB25N06S3-25 概述

IPB25N06S3-25是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術(shù)，具有低導通電阻和高效率特性，適用于需要高效功率管理的應用場景。其最大漏極電流可達25A，擊穿電壓為60V，適合中低壓應用。典型應用場景包括電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等。由于其良好的熱特性和電氣性能，特別適合用于同步整流電路和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。在實際應用中，建議注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保MOSFET能快速且可靠地開關(guān)，以減少損耗并提高整體系統(tǒng)效率。同時，在布局PCB時應盡量減小寄生電感和電阻，以優(yōu)化高頻工作性能。

IPB25N06S3-25 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
55 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
25 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
24.8 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時間
27 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
48 W
上升時間
27 ns
典型關(guān)閉延遲時間
16 ns
零件號別名
IPB25N06S325XT

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IPB25N06S3-25
IPB200N15N3 G
IPB200N15N3G
IPB200N25N3 G
IPB200N25N3G
IPB20N60C3
IPB20N60S5
IRF540NS

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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