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IPB147N03L G

更新時間:2025-05-23 08:56:58

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市捷立輝科技有限公司
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只做原裝假一賠萬

深圳市顥天電子有限公司
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百分百原裝，有掛有貨，假一賠十

深圳市金燦利電子科技有限公司
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INFINEON/英飛凌
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全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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深圳誠思涵科技有限公司
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公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單

昂富（深圳）電子科技有限公司
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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

艾潤（香港）電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

深圳市特萊科技有限公司
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深圳華盛半導(dǎo)體集團有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

深圳市科格爾電子有限公司
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INFINEON/英飛凌
TO263/20+/25+
原裝優(yōu)勢大量現(xiàn)貨，歡迎咨詢

北京羅徹斯特電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨INFINEON優(yōu)勢，可出售樣品，研發(fā)選型BOM配

貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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IPB147N03L G 概述

IPB147N03L G是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為30V，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電池供電設(shè)備等場景。在便攜式電子設(shè)備中，它能夠有效降低功耗，提高系統(tǒng)效率。由于其封裝小巧，特別適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。在實際應(yīng)用時，建議關(guān)注柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)。對于高頻開關(guān)應(yīng)用，需注意PCB布局以減少寄生電感影響，通?？赏ㄟ^縮短走線長度和加寬電源路徑實現(xiàn)優(yōu)化設(shè)計。如果需要更詳細的參數(shù)信息，可以查閱英飛凌官方提供的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊。

IPB147N03L G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPB,IPP147N03L G
標準包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14.7 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 15V
功率 - 最大
31W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000254712

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IPB100N06S03-03
IPB100N06S3
IPB100N06S3-03
IR2112

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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