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IPB11N03LAG

更新時間:2025-07-05 15:30:19

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IPB11N03LAG 概述

IPB11N03LAG是一款由英飛凌科技生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。其最大漏極-源極電壓為30V，能夠承受高達11A的連續(xù)漏極電流。由于其出色的熱性能和電氣特性，這款MOSFET常用于DC-DC轉換器、負載開關以及電池管理系統(tǒng)中。在實際應用中，建議注意柵極驅動電路的設計以確?？煽块_啟和關閉MOSFET。此外，在PCB布局時應考慮散熱需求，盡量縮短源極和柵極引線長度以減少寄生電感的影響。

IPB11N03LAG 規(guī)格參數

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
25 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
30 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
18.2 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時間
2.8 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
52 W
上升時間
43 ns
典型關閉延遲時間
20 ns

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IPB100N06S3
IRF3205

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