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IPB038N12N3 G

更新時間:2025-06-24 21:43:04

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IPB038N12N3 G 概述

IPB038N12N3 G是英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用TO-263-7封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力的特點，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)等。在實際應(yīng)用中，由于其具備較低的RDS(on)，可以減少導(dǎo)通損耗，提高整體效率。當用于電機驅(qū)動時，需確保散熱設(shè)計合理，避免因過熱導(dǎo)致性能下降。在電路設(shè)計上，可將其作為功率開關(guān)使用，并且要注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以保證完全開啟。如果在DC-DC轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用，應(yīng)根據(jù)具體輸入輸出要求調(diào)整外圍電路元件參數(shù)，如電感值、電容值等。

IPB038N12N3 G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
標準包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.8 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
211nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
13800pF @ 60V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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IPB038N12N3 G
IPB009N03L
IPB009N03LG
IPB010N06N
IPB011N04LG
IPB011N04N
IPB011N04N G
IRF840

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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