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IPB027N10N3 G

更新時間:2025-07-09 22:48:01

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IPB027N10N3 G 概述

IPB027N10N3 G是英飛凌公司生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、同步整流電路以及電機驅動等高效能應用場合。其典型工作電壓為100V，適合于需要承受較高電壓且要求低損耗的電力電子系統(tǒng)中。在DC-DC轉換器和電池管理系統(tǒng)中也有廣泛應用。使用時應注意遵循正確的柵極驅動電壓范圍以確?？煽繉ㄅc關斷，并采取適當的散熱措施以維持長期穩(wěn)定工作。

IPB027N10N3 G 規(guī)格參數

數據列表
IPB027N10N3 G
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.7 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 275µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
206nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
14800pF @ 50V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
PG-TO263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000506508

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IRFZ44N

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