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更新時間:2025-07-04 21:36:48

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IPB025N10N3G 概述

IPB025N10N3G是由英飛凌生產的MOSFET。它是一款N溝道增強型功率MOSFET，采用TO - 263 - 7封裝。該器件具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為2.3mΩ，這有助于減少導通損耗。其最大漏源電壓（VDS）可達100V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C下高達140A應用場景，如開關電源、電機驅動、DC - DC轉換器等。在開關電源中，它可以高效地控制電能的傳輸；在電機驅動電路里，能夠快速切換以提供精確的電機控制。使用時需注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內，避免過高的結溫影響器件性能和壽命。在電路設計時，要合理選擇柵極電阻來優(yōu)化開關速度，并且要注意防止靜電損壞柵極。

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IRF9530N

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