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HUF75645P3

更新時間:2025-07-04 08:26:48

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市博偉奇電子有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市新億利電子有限公司
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HUF75645P3外觀圖

HUF75645P3

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB

封裝:TO-220-3

HUF75645P3 概述

HUF75645P3是由ON Semiconductor生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用PowerPAK 1212封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率管理應用。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流能力達到20A，非常適合用于直流-直流轉換器、負載開關以及電池供電設備中的電源管理電路。在實際應用中，HUF75645P3常被用于需要高效電能轉換和精確控制的場合，例如便攜式設備、通信基礎設施及工業(yè)控制系統(tǒng)等。使用時需注意散熱設計以確保最佳性能，特別是在大電流條件下工作時。建議在PCB布局中盡量縮短源極到地的路徑，以減少寄生電感影響，提高整體系統(tǒng)穩(wěn)定性。對于驅動電路設計，應確保柵極驅動信號足夠強，以實現快速開關，降低開關損耗。

HUF75645P3 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
400
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
75A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
238nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3790pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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HUF75307D3S
HUF75307D3ST
HT7833

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