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HUF75639S3ST

更新時間:2025-07-05 10:53:51

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HUF75639S3ST外觀圖

HUF75639S3ST

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

HUF75639S3ST 概述

HUF75639S3ST是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用堅固耐用的Surface Mount (D2PAK)封裝，適用于需要高效功率管理的應(yīng)用場景。基礎(chǔ)描述方面，HUF75639S3ST具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，這使得它在電源轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)出色。其最大漏極-源極電壓（VDSS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）可達44A，適合驅(qū)動電機、負載開關(guān)及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，此MOSFET也常用于計算機、消費電子以及工業(yè)控制設(shè)備等領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，應(yīng)確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以保證MOSFET完全導(dǎo)通，并注意散熱設(shè)計以維持長期穩(wěn)定工作。

HUF75639S3ST 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
56A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
25 毫歐 @ 56A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
130nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2000pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-263AB
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
HUF75639S3ST-NDHUF75639S3STTR

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HUF75307D
HUF75307D3
HT7533

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