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HUF75639S3S

更新時間:2025-07-06 20:19:45

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

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3180
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16800
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艾潤（香港）電子有限公司
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HUF75639S3S外觀圖

HUF75639S3S

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

HUF75639S3S 概述

HUF75639S3S是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用表面貼裝封裝(SOT-223)，適用于中低壓應用場合。其設計旨在提供低導通電阻和高開關速度，使其在高效電源管理和負載切換電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電池管理電路以及電機驅動控制等需要快速開關和低損耗的場合。由于其具備良好的熱特性和電氣性能，在消費電子、工業(yè)控制設備及汽車電子系統(tǒng)中有廣泛應用。使用時應注意遵循制造商推薦的最大電壓電流規(guī)格，確保散熱設計合理以維持穩(wěn)定工作溫度。建議在PCB布局時優(yōu)化走線寬度來降低寄生電感影響，并根據(jù)實際需求選擇適當?shù)臇艠O驅動電阻值以優(yōu)化開關特性。

HUF75639S3S 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
400
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
56A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
25 毫歐 @ 56A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
130nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2000pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
管件

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HUF75229P3-NL
HUF75307
HUF75307D
HT9200A

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