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HGTG20N60B3

更新時間:2025-06-12 13:22:31

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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可信任的汽車芯片代理現(xiàn)貨與生產技術方案商

深圳市致誠達科技有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

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深圳市芯福林電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，市場價格

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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一級代理商可提供技術方案支持

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奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

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全新原裝現(xiàn)貨，可開專票

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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務

深圳市致誠達科技有限公司
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2700
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接受長期訂貨

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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

深圳市科鑫美電子有限公司
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28900
HARRIS
TO3P/2026+
低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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瀚佳科技（深圳）有限公司
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原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

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HGTG20N60B3外觀圖

HGTG20N60B3

Fairchild Semiconductor IGBT - 單路

IGBT UFS N-CHAN 600V 40A TO-247

封裝:TO-247-3

HGTG20N60B3 概述

HGTG20N60B3是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高性能高壓MOSFET。該器件采用先進的第三代場截止技術，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓Vds為600V，適合在高功率密度設計中使用。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、電機驅動和開關電源等需要高效能量轉換的場合。在這些應用中，HGTG20N60B3能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其出色的熱性能和低柵極電荷，這款MOSFET非常適合用于要求嚴格的工業(yè)級產品設計。在實際電路設計中，建議關注PCB布局以優(yōu)化散熱，并確保柵極驅動電路能提供足夠的驅動能力以充分發(fā)揮其高速開關的優(yōu)勢。

HGTG20N60B3 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
150
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
40A
功率 - 最大
165W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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HT1622

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