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HGT1S14N36G3VL

更新時間:2025-05-25 21:46:12

供應商
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廠商
封裝/批號
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詢價

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原裝現(xiàn)貨0755-83202829QQ1196559117

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市芯凌美電子有限公司
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HGT1S14N36G3VL 概述

HGT1S14N36G3VL是MACOM公司生產(chǎn)的一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。該器件采用硅基氮化鎵技術，具有低寄生電容和低導通電阻特性。它專為高效功率轉換應用而設計，在射頻能量傳輸、無線充電及DC-DC轉換器等場景中表現(xiàn)出色。在電路設計時，由于其高開關速度的特點，需特別注意PCB布局以減少寄生效應。建議使用盡可能短的柵極走線并添加適當?shù)娜ヱ铍娙菀苑€(wěn)定電壓。對于驅動電路，可選用兼容的高速柵極驅動器來確保可靠開關操作。此款晶體管的工作溫度范圍寬，但在高溫環(huán)境下仍需考慮散熱設計以保證性能穩(wěn)定。

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HGT1S14N36G3VLS
HGT1S14N36G3VLT
HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNST
HGT1S12N60C3DS
HGT1S14N40F3VLS
HGT1S20N36G3VL
HCF4052

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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