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FDP100N10

更新時間:2025-07-05 12:48:05

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市杰旭鑫科技有限公司
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FDP100N10外觀圖

FDP100N10

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP100N10 概述

FDP100N10是ON Semiconductor生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流承載能力的特點。該MOSFET的典型應用包括開關電源、電機驅動器、DC - DC轉換器等需要高效電能轉換的場合。在電源管理系統(tǒng)中，它可以作為主要的開關元件來提高系統(tǒng)的效率并減少熱量產生。使用時需注意其最大漏源電壓為100V，連續(xù)漏極電流可達100A。在電路設計中，確保柵極驅動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并且要考慮散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。

FDP100N10 規(guī)格參數

標準包裝
400
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
75A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7300pF @ 25V
功率 - 最大
208W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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