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FCPF099N65S3

更新時間:2025-06-02 20:30:58

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原廠直銷，提供技術支持

深圳市程涵電子有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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FCPF099N65S3 概述

FCPF099N65S3是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的SuperFET III技術，具備超低的導通電阻和優(yōu)異的開關性能。其最大漏極-源極電壓（Vds）為650V，適用于高壓應用場合。典型應用場景包括服務器電源、電動汽車充電設備、太陽能逆變器及不間斷電源系統等。在實際應用中，建議將該MOSFET用于需要高效能量轉換和熱管理的設計中。由于其低柵極電荷特性，能夠實現快速開關，有助于減少開關損耗。設計時需注意驅動電路的選擇以確保充分開啟和關閉MOSFET，防止因驅動不足導致的發(fā)熱問題。例如，在一個典型的半橋電路配置中，應合理選擇驅動電阻值來優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。

FCPF099N65S3 規(guī)格參數

現有數量
974現貨
系列
SuperFET? III
包裝
管件
產品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
99 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 3mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2310 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
43W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220F
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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廣東微爾科技有限公司

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