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FCH47N60N

更新時間:2025-05-17 22:06:02

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中科航電（深圳）電子集團有限
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FCH47N60N外觀圖

FCH47N60N

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

封裝:TO-247-3

FCH47N60N 概述

FCH47N60N是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的N溝道MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高壓應用場合。其最大漏源電壓為600V，適合在需要高耐壓的功率轉換電路中使用，如不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅動等領域。在實際應用中，建議確保柵極驅動電壓足夠以達到最低導通電阻，從而減少功耗。設計時應注意PCB布局，盡量減小寄生電感對開關性能的影響。例如，在高頻開關電源設計中，應將MOSFET靠近散熱器并優(yōu)化走線長度以降低噪聲干擾。此外，為保護MOSFET免受過壓損壞，可在電路中加入鉗位二極管或TVS管等保護元件。

FCH47N60N 規(guī)格參數

標準包裝
150
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SupreMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
47A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
62 毫歐 @ 23.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
151nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6700pF @ 100V
功率 - 最大
368W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件

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