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FCH072N60F

更新時間:2025-05-18 17:52:11

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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FCH072N60F 概述

FCH072N60F是由Fairchild Semiconductor（已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能電源管理應用，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓（Vds）為600V，適用于需要高壓處理能力的電路中。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關模式電源（SMPS）及工業(yè)逆變器等。在實際應用中，使用FCH072N60F時應注意確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET，通常要求柵極-源極電壓（Vgs）至少達到10V。此外，由于其較高的工作頻率特性，在PCB布局時需特別注意減少寄生電感和電容的影響，建議采用短而寬的走線連接源極與漏極引腳，以降低損耗并提高系統(tǒng)效率。對于散熱管理，應根據具體工作條件選擇合適的散熱器或冷卻方案。

FCH072N60F 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
FRFET?, SuperFET? II
包裝
管件
產品狀態(tài)
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
52A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
72 毫歐 @ 26A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
215 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8660 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
481W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3

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廣東微爾科技有限公司

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